半导体测试仪 半导体测量仪器 规格参数

用晶体管图示仪观察共发射放大电路的输入特性时，X轴作用开关置于基电压，Y轴作用开关置于基电流。在大容量三相逆变器中，开关元件一般不采用绝缘栅双晶体管。以电力晶体管组成的斩波器适于中容量的场合。JT-1型晶体管特性图示仪台上的“选择”开关是用于改变被测管的类型和被测管的接地形式。S-4A型晶体管h参数仪的电源为低内阻稳压电源。JT-1型晶体管图示仪输出集电电压的峰值是200伏。在斩波器中，作为主开关器件若用晶闸管代替电力晶体管，则会增加损耗。绝缘栅双晶体管的开关速度明显**电力晶体管。JT-1型晶体管图示仪“基阶梯信号”中的串联电阻的作用是将输入电压变化转变为电流变化。
当一只正常晶体管插在端子之间时，它限制电流只能沿某些方向流动。串联的LED表示出这些方向，因此指示出了晶体管的类型。例如，对NPN晶体管，LED发光为红-绿-红;而对PNP晶体管，发光为绿-红-绿。

如果LED不亮甚至在一个位置，然后晶体管在小于140的电流放大或有缺陷。与S1按钮的基电流可以被打断，而此时指示灯应该（如果未脱，集电和发射晶体管之间有一个短路）。人员需要一个9伏直流电源电压。

晶体管仪电路图时基电路NE555、R1、R2、C2等组成振荡频率约16KHZ的自激振荡器，其输出信号通过三管VT1放大后驱动升压变压器T，在T次级输出感应脉动电压。此电压经VD1整流、C5滤波，在a点取得1.8KV左右的用直流高压电源。VT2、R7（或R8）、R3、C4等组成保护电路，当被测管穿透电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70μA）时，三管VT2饱合导通，NE555因*④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的穿透电流下降，然后，NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的耐压值上。时，将被测管按性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S拨向1端，测大功率管时S拨向2端，按动按钮SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。电阻R5用于泄放C5的残留高压，以防者遭电击。二管VD2用于抵消VT2基电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。

晶体管仪电路图可以使用如下所示的电子计划的一个双晶体管仪。使用这种电子电路，我们可以排序晶体管，取决于类放大（电流增益140-270之间），B（270-500）或C（小于500）。对于正确的NPN晶体管是必要的，晶体管插入插座补习（根据晶体管），并打开开关S2的位置C.如果LED不轻的移动交换机S2在位置B，而如果不轻，甚至在这个位置上，将一个位置上的开关S2。
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